SpayniX Web Portal

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта

GlobalFoundries освоит EUV-литографию к 2015 году

E-mail Печать PDF
(0 Голосов)

Компания GlobalFoundries установит оборудование для изготовления интегральных микросхем с применением EUV-литографии во второй половине 2012 года. А к 2014 или 2015 годам планируется подготовить серийное производство кристаллов с использованием глубокого (экстремального) ультрафиолетового излучения.

Сегодня заказы на приобретение технологического оборудования для проведения EUV-литографии разместили такие чипмейкеры, как Intel Corp., Samsung Electronics Co. Ltd., Toshiba Inc. и Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Поставщиком оборудования выступает компания ASML Holding NV. Но пока речь идет лишь об опытной партии станков, которые еще не прошли полный цикл «обкатки». В свою очередь компания GlobalFoundries пока воздерживается от  приобретения такого оборудования, и предпочитает дождаться полностью готовых к работе установок.

Сегодня ведущие производители интегральных микросхем применяют технологию иммерсионной фотолитографии с использованием 193-нм излучения. Такой подход позволил продлить «время жизни» 193-нм фотолитографии, и не проводить кардинальную модернизацию технологического оборудования для перехода на более коротковолновое излучение. Тем не менее, установки для 193-нм иммерсионной фотолитографии оказываются чрезмерно дорогими. Настолько дорогими, что главный вице-президент компании GlobalFoundries по развития технологий и разработкам  Грегг Бартлетт (Gregg Bartlett) высказал предположение, что оборудование для EUV-литографии окажется более дешевым, нежели предшествующее ему.

Компания GlobalFoundries планирует установить новейшее оборудование на своей строящейся фабрике Fab 5 близ Нью-Йорка, которая к тому времени будет введена в строй.

Эксперты сходятся во мнении, что литография с использованием глубокого ультрафиолета (излучения с длиной волны 13 нм) будет применяться для изготовления интегральных микросхем с топологическими нормами не более 15 нм. Первоначально освоить эту технику планировали для выпуска 65-нм микросхем, однако технология распространения так и не получила в связи с отсутствием необходимых и довольно специфичных источников энергии, фоторезистивных материалов, бездефектных масок и других компонентов, без которых проведение процесса фотолитографии невозможно.

 

Источник: 3dnews.ru

Автор:  Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript

 

Добавить комментарий



Анти-спам: выполните задание
network monitoring tool


Поиск

Информация о профиле

Application afterLoad: 0.003 seconds, 0.52 MB
Application afterInitialise: 0.113 seconds, 3.13 MB
Application afterRoute: 0.130 seconds, 3.68 MB
Application afterDispatch: 0.308 seconds, 8.15 MB
Application afterRender: 0.574 seconds, 9.21 MB