SpayniX Web Portal

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта

Samsung выпустила 2-Гбит DDR3-чипы 30-нм класса

E-mail Печать PDF
(0 Голосов)

Компания Samsung Electronics с гордостью заявила о запуске массового производства первых в отрасли DDR3-чипов емкостью 2 Гбит, выпускаемых с использованием техпроцесса 30-нм класса. Благодаря переходу на более тонкие проектные нормы, новая память отличается высокой производительностью при сравнительно малой потребляемой мощности. Сам производитель называет свою память Green DDR3, подчеркивая тем самым "дружественность" продукции к экологической среде.

На базе чипов Samsung 30-нм класса можно проектировать модули памяти для серверных систем с напряжением питания 1,35 В и производительностью 1,866 Гбит/с. Модули памяти для настольных ПК могут работать на скорости 2,133 Гбит/с при напряжении 1,5 В. По сравнению с DDR3-чипами 50-нм класса, новая память обеспечивает около 20% экономии электроэнергии. Что касается производительности, то здесь выигрыш составляет порядка 155% по сравнению с памятью предыдущего поколения.

Конечно, Samsung не собирается останавливаться на достигнутом. Уже к концу года компания планирует выпустить DDR3-чипы 30-нм класса емкостью 4 Гбит, что позволит создавать еще более емкие модули памяти.

 

Источник: 3dnews.ru

Автор:  Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript

 

Добавить комментарий



Анти-спам: выполните задание
network monitoring tool


Поиск

Информация о профиле

Application afterLoad: 0.003 seconds, 0.52 MB
Application afterInitialise: 0.163 seconds, 3.13 MB
Application afterRoute: 0.188 seconds, 3.68 MB
Application afterDispatch: 0.476 seconds, 8.14 MB
Application afterRender: 0.821 seconds, 9.20 MB